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Transistor 2SK1296

Transistor 2SK1296 N-MOS 60V 30A 75W <0.028R(15A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: HIT. Boîtier: Log.L. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 30 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 15 A. Rds (Ohms): 0.028. Puissance: 75 W

Transistor 2SK1350

Transistor 2SK1350 N-MOS 200V 15A 45W <0.18R(10A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: TOS. Boîtier: (F). Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 15 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 10 A. Rds (Ohms): 0.18. Puissance: 45 W

Transistor 2SK1358

Transistor 2SK1358 N-MOS 900V 9A/27Ap 150W 1.1R. Field Effect Tranzisztor MOS II.5. High Speed. tr:25nS tf:20nS. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Rds (Ohms): 1.1. Courant impulsion: 27 Ap

Transistor 2SK1377

Transistor 2SK1377 N-MOS 400V 5.5A 40W <1.2R(3.2A. V-MOS. DC-DC conv. Constructeur: TOS. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.2 A. Rds (Ohms): 1.2. Puissance: 40 W

Transistor 2SK1404

Transistor 2SK1404 N-MOS 600V 5A 35W <1.5R(2.5A). MOS-N-FET. Constructeur: HIT. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.5 A. Rds (Ohms): 1.5. Puissance: 35 W

Transistor 2SK1420

Transistor 2SK1420 N-MOS 60V 25A 30W <0.045R(15A). V-MOS (F). MOS-N-FET. Constructeur: SAN. Boîtier: <45mR. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 25 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 15 A. Rds (Ohms): 0.045. Puissance: 30 W

Transistor 2SK1460

Transistor 2SK1460 N-MOS 900V 3.6A 40W <3.6R(2A). V-MOS. MOS-N-FET. Boîtier isolé (TO-220F). Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 3.6. Puissance: 40 W

Transistor 2SK1461

Transistor 2SK1461 N-MOS 900V 5A 120W<3.6R(2A)S/L. V-MOS. S-L. MOS-N-FET. Constructeur: SAN. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 3.6. Puissance: 120 W

Transistor 2SK1474

Transistor 2SK1474 N-MOS 100V 4A 20W <0.4R(2A). V-MOS Log-L. MOS-N-FET. Constructeur: MAT. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 0.4. Puissance: 20 W

Transistor 2SK1507

Transistor 2SK1507 N-MOS 600V 9A/25Ap 50W 0.85R. F-II Series Power MOSFET. High Speed switching. Constructeur: FEC. Boîtier: TO-220F Plastic. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Rds (Ohms): 0.85. Courant impulsion: 25 Ap. Pui

Transistor MOSFET canal-N 2SK1529

Transistor MOSFET canal-N 180V 10A 120W 0.25R

Transistor 2SK1530

Transistor 2SK1530 N-MOS 200V 12A 150W NF-E. Field Effect Silicon N-Channel MOS Type. High-Power Amplifier. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-264 Paire: : 2SJ201. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A. Puissance: 150 W

Transistor 2SK170BL

Transistor 2SK170BL N-FET 40V Idss: >6.0..12mA Up<1.5V. Low aud.ampl. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-92. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 mA

Transistor 2SK2039

Transistor 2SK2039 N-MOS 900V 5A 150W <2.5R(3A). V-MOS. N-MOS-FET. Constructeur: TOS. Boîtier: INFO->FUNAI. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3 A. Rds (Ohms): 2.5. Puissance: 150 W

Transistor 2SK2043

Transistor 2SK2043 N-MOS 600V 2A 25W <4.3R(1A). MOS-N-FET. Constructeur: SAN. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1 A. Rds (Ohms): 4.3. Puissance: 25 W

Transistor 2SK212

Transistor 2SK212 N-FET 20V Idss: >0.6mA Up<2.5V. FM. Constructeur: SAN. Tension de Drain maxi: 20 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 0.6 mA

Transistor 2SK2129

Transistor 2SK2129 N-MOS 800V 3A 40W <4R(2A). V-MOS. 40/140nS. Constructeur: MAT. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 4. Puissance: 40 W

Transistor 2SK2134

Transistor 2SK2134 N-MOS 200V 8A 100W <0.4R(7A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: NEC. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 7 A. Rds (Ohms): 0.4. Puissance: 100 W

Transistor 2SK2141

Transistor 2SK2141 N-MOS 600V 6A/24App 35W 0.8R(3A). MOS Field Effect Transistor. Switching Power Mosfet. Constructeur: NEC. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3 A.

Transistor 2SK216

Transistor 2SK216 N-MOS 200V 0.5A 30W 8R 20/30nS. V-MOS-L. Paire: : 2SJ79. Constructeur: HIT. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 0.5 A. Rds (Ohms): 8. Puissance: 30 W

Transistor 2SK2161

Transistor 2SK2161 N-MOS 200V 9A 25W <0.35R(4.5A). V-MOS-L. MOS-N-FET. Constructeur: SAN. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4.5 A. Rds (Ohms): 0.35. Puissance: 25 W

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